Samsung, High NA EUV litografisini DRAM üretimine taşıyor

Samsung Electronics, gelişmiş DRAM üretiminde yeni nesil High NA EUV litografi teknolojisini kullanmaya hazırlanıyor. Şirket, ASML ile iş birliğini genişleterek teknolojiyi 2028’de seri üretimi DRAM belleklere dahil etmeyi hedefliyor.

DRAM üretiminde yeni nesil hamle Şirketin planına göre High NA EUV litografi ekipmanları, 2028 itibarıyla gelişmiş DRAM ürünlerinin seri üretiminde kullanılacak. Bu, Samsung’un High NA EUV’yi DRAM seri üretimine uygulayacağı ilk dönem olacak.

İlgili haber: AP Türkiye Raportörü Amor’dan Üsküdar seçimine sert tepki: “Demokrasiyle alay etmektir” detayları için tıklayınız.

Şirket, söz konusu ekipmanı gelişmiş DRAM seri üretim ürünlerinde kullanarak üretim sürecine ilişkin koşulları, üretim verimini ve üretkenliği doğrulamayı planlıyor. High NA EUV, mevcut EUV ekipmanlarına kıyasla daha yüksek sayısal açıklık (NA) değeri kullanarak daha karmaşık devrelerin oluşturulmasını sağlayan yeni nesil bir litografi teknolojisi olarak öne çıkıyor.

Geleneksel EUV sistemlerinde 0,33 olan sayısal açıklık (NA) değeri, High NA EUV sistemlerinde 0,55’e yükseliyor. Daha yüksek çözünürlük sayesinde, geleneksel EUV ile birden fazla pozlama gerektiren bazı üretim adımlarının azaltılması mümkün hale geliyor.

Ayrıca göz atabilirsiniz: Muhasebe müdürü kasayı boşalttı: Sevgilisinin estetik masraflarına 5 milyon lira!

Bu durum hem çiplerin daha fazla küçültülmesine hem de üretim süreçlerinin sadeleştirilmesine katkı sağlıyor. Yorum Yaz Paylaş Tweetle Eposta ile Paylaşın başlıklı bu arkadaşınıza postalayın.

Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: Daha Fazla Video Sessiz Video Tercihleri Otomatik yükle ve oynat Video bitince sonrakine geç donanimhabercom Instagram Takip Et Tükettiğinden çok elektrik üreten elektrikli otomobil